型号:

DDTD123YC-7-F

RoHS:无铅 / 符合
制造商:Diodes Inc描述:TRANS NPN 200MW R1/R2 SOT23-3
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
DDTD123YC-7-F PDF
产品目录绘图 SOT-23 Side
SOT-23 Top
DDTCxxxT(CA,UA,E) Circuit
标准包装 1
系列 -
晶体管类型 NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大) 500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧) 2.2k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) 10k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) 56 @ 50mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) 300mV @ 2.5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大) 500nA
频率 - 转换 200MHz
功率 - 最大 200mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装 SOT-23-3
包装 剪切带 (CT)
产品目录页面 1580 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 DDTD123YC-7-FDICT
相关参数
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IP-PCI/T64 Altera IP PCI 64BIT TARGET
DDTD123YC-7-F Diodes Inc TRANS NPN 200MW R1/R2 SOT23-3
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BQ24707RGRT Texas Instruments IC CHRG MGMT LI+ 1-4CELL 20VQFN
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